4月11日消息，国家知识产权局信息显示，无锡新洁能股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件”的专利，授权公告号CN115548088B，授权公告日为2026年4月10日。申请公布号为CN115548088A，申请号为CN202210943107.4，申请公布日期为2026年4月10日，申请日期为2021年3月15日，发明人朱袁正、黄薛佺、杨卓，专利代理机构无锡市兴为专利代理事务所（特殊普通合伙），专利代理师屠志力，分类号H10D62/10、H10D8/00、H10D89/10。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有N型掺杂外延层，在N型掺杂外延层上设有高压区和低压区，在高压区与低压区之间设有高低压结终端区，在低压区和高低压结终端区之间设有第一P型隔离柱，在高压区和高低压结终端区之间设有第二P型隔离柱，在第一P型隔离柱上连接第二P型隔离柱，所述第一P型隔离柱和第二P型隔离柱形成一个或多个封闭区域，高压器件设置在所述封闭区域中。所述高压器件为JFET器件、LDMOS器件、LIGBT器件、功率二极管器件中的一种或多种。本发明提高了芯片面积的利用率，从而降低了集成电路的成本。

新洁能是国内功率半导体领域的领先企业，专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计，具备较强的技术实力与市场竞争力。公司成立于2013年1月5日，于2020年9月28日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均位于江苏省无锡市。

新洁能属于申万行业电子-半导体-分立器件，概念板块涉及功率半导体、IGBT概念、碳化硅，主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售，产品按是否封装分为芯片和功率器件。

2025年，新洁能营业收入达18.77亿元，在行业6家公司中排名第2，行业第一的扬杰科技为71.3亿元，行业平均数为17.69亿元，中位数为4.98亿元。主营业务中，功率器件收入18.2亿元，占比96.96%；芯片4966.13万元，占比2.65%；其他（补充）742.54万元，占比0.40%。净利润方面，2025年为3.92亿元，同样在行业6家公司中排名第2，扬杰科技以12.45亿元居首，行业平均数为3.15亿元，中位数为1.49亿元。

无锡新洁能股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1级联型SiC功率器件发明专利公布CN202511965444.32025-12-24CN121772834A2026-03-31朱袁正、杨卓、廖周林、叶鹏2一种碳化硅JTE结构的器件终端及其制备方法发明专利公布CN202511825862.22025-12-05CN121692733A2026-03-17朱袁正、朱晨凯、杨卓、黄薛佺、叶鹏3沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法发明专利公布CN202511825860.32025-12-05CN121692725A2026-03-17朱袁正、朱晨凯、杨卓、黄薛佺、叶鹏4一种碳化硅场效应晶体管器件及其制造工艺发明专利公布CN202511815467.62025-12-04CN121692732A2026-03-17朱袁正、黄薛佺、杨卓、叶鹏5一种沟槽型碳化硅场效应晶体管器件及其制备工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511361988.92025-09-23CN121152265A2025-12-16朱袁正、黄薛佺、杨卓、叶鹏6一种高可靠沟槽型碳化硅场效应晶体管器件及其制备工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511361986.X2025-09-23CN121152264A2025-12-16朱袁正、黄薛佺、杨卓、叶鹏7一种改善续流能力的碳化硅MOSFET器件及其制造方法发明专利公布CN202510851210.X2025-06-24CN120676698A2025-09-19朱袁正、杨卓、周锦程8一种双沟槽型碳化硅场效应晶体管器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510608663.X2025-05-13CN120417441A2025-08-01朱袁正、朱晨凯、杨卓、黄薛佺、叶鹏9外延层制造方法、外延层及增大工艺窗口的超结功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510608600.42025-05-13CN120417452A2025-08-01朱袁正、周锦程、李宗清10一种外延层的制造方法、外延层及降噪的超结功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510608598.02025-05-13CN120417451A2025-08-01朱袁正、周锦程、李宗清11外延层制造方法、外延层及宽工艺窗口的超结功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510608548.22025-05-13CN120417450A2025-08-01朱袁正、周锦程、李宗清12一种垂直SiC场效应晶体管及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510530739.12025-04-25CN120187063A2025-06-20朱袁正、周锦程、杨卓13一种超结功率器件的外延层的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510325283.52025-03-19CN120184003A2025-06-20朱袁正、周锦程、李宗清14一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510214053.12025-02-26CN120091607A2025-06-03朱袁正、朱晨凯、杨卓、黄薛佺、叶鹏15一种集成式高压半导体器件结构及其制作方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411857388.72024-12-17CN119325274B2025-05-09朱袁正、黄薛佺、杨卓、叶鹏、李宗清16一种功率半导体器件终端保护区结构发明专利授权、公布CN202411142537.12024-08-20CN118658873B2024-11-29朱袁正、周锦程、李宗清17一种按圆角矩形排布的功率半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410581873.X2024-05-11CN118472009A2024-08-09朱袁正、周锦程、叶鹏18一种功率半导体器件及其封装结构和制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311436260.92023-10-31CN117457646A2024-01-26朱袁正、黄薛佺、杨卓、叶鹏19一种超结功率半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311382260.52023-10-24CN117317014A2023-12-29朱袁正、周锦程、李宗清20一种超结功率半导体器件的终端保护区结构发明专利实质审查的生效、公布CN202311258623.42023-09-27CN117059668A2023-11-14朱袁正、周锦程、叶鹏、李宗清21一种碳化硅MOSFET器件及其制备工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202310889322.52023-07-19CN116741839A2023-09-12朱袁正、杨卓、黄薛佺、叶鹏、朱晨凯22一种高可靠性碳化硅MOSFET器件及其形成方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310764107.22023-06-27CN116504841B2023-10-03朱袁正、黄薛佺、杨卓、叶鹏、朱晨凯23一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法发明专利授权、公布CN202310581822.22023-05-23CN116314340B2023-09-01朱袁正、杨卓、朱晨凯、黄薛佺、叶鹏24一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备工艺发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310461968.32023-04-26CN116344587A2023-06-27朱袁正、杨卓、黄薛佺、朱晨凯25带有二氧化硅埋层的屏蔽栅功率器件及其制造方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202211552886.12022-12-06CN115566074A2023-01-03朱袁正、周锦程、叶鹏、杨卓、刘晶晶26一种带有深接触孔的屏蔽栅功率器件发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202211552885.72022-12-06CN115579398B2023-03-10朱袁正、周锦程、叶鹏27一种具有载流子存储层的沟槽栅IGBT器件发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210971236.42022-08-15CN115064584B2022-10-25朱袁正、周锦程、李宗清、杜丽娜28一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制作方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202210966839.52022-08-12CN115036359A2022-09-09朱袁正、黄薛佺、周锦程、杨卓、叶鹏29一种高速平面栅功率器件及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210968699.52022-08-12CN115050816B2022-10-21朱袁正、周锦程、李宗清、叶鹏30一种自保护的半导体结构及制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210964525.12022-08-12CN115050815B2022-10-28朱袁正、童鑫、周锦程、叶鹏31抗电磁干扰的超结功率器件及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210968077.22022-08-12CN115036293B2022-11-04朱袁正、周锦程、李宗清32一种高雪崩耐量碳化硅MOSFET器件及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210959324.22022-08-11CN115064583B2022-10-25朱袁正、杨卓、黄薛佺、叶鹏33一种低损耗MOSFET器件及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210830084.62022-07-15CN115188801A2022-10-14朱袁正、杨卓、黄薛佺、张允武、陆扬扬34一种横向功率MOSFET器件及其制造方法发明专利授权CN202210830246.62022-07-15CN115188806B2026-02-27朱袁正、杨卓、黄薛佺、张允武、陆扬扬35一种横向沟槽型MOSFET器件及其制造方法发明专利授权CN202210830224.X2022-07-15CN115207088B2026-03-03朱袁正、杨卓、黄薛佺、张允武、陆扬扬36一种低压沟槽栅功率器件及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210502924.62022-05-10CN114613848B2022-07-19朱袁正、周锦程、王根毅、叶鹏、周永珍37一种功率MOSFET器件及其制作方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210500218.82022-05-10CN114597264B2022-07-26朱袁正、杨卓、黄薛佺、朱晨凯38一种可调安全工作区的功率器件及其制作方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202210495659.32022-05-09CN114582966A2022-06-03朱袁正、杨卓、黄薛佺、叶鹏39多次外延屏蔽栅功率器件及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210495669.72022-05-09CN114582960B2022-07-26朱袁正、周锦程、叶鹏、刘晶晶40一种低开关损耗功率器件结构及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210483384.12022-05-06CN114582965B2022-07-19朱袁正、周锦程、叶鹏41一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其工艺方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210478523.12022-05-05CN114597257B2022-07-26朱袁正、黄薛佺、杨卓、叶鹏42超结功率器件发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210436670.22022-04-25CN114551575B2022-07-19朱袁正、周锦程、李宗清43一种快恢复屏蔽栅功率器件及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210413417.52022-04-20CN114512538B2022-07-08朱袁正、周锦程、叶鹏、杨卓、刘晶晶44一种超结功率半导体晶体管器件实用新型授权CN202220533159.X2022-03-11CN217009199U2022-07-19朱袁正、周锦程、李宗清、叶鹏45低阻碳化硅MOSFET器件及其制造方法发明专利发明专利申请公布后的撤回、实质审查的生效、公布CN202111590877.72021-12-23CN114284359A2022-04-05朱袁正、黄薛佺、杨卓、叶鹏46一种沟槽栅超结功率半导体器件实用新型授权CN202123268709.42021-12-23CN216597595U2022-05-24朱袁正、叶鹏、周锦程、杨卓47能降低噪声的功率半导体器件实用新型授权CN202123268685.22021-12-23CN216597596U2022-05-24朱袁正、叶鹏、周锦程、李宗清、杨卓48快恢复平面栅超结功率器件实用新型授权CN202123266352.62021-12-23CN216597594U2022-05-24朱袁正、叶鹏、周锦程、李宗清49高可靠性超结功率器件实用新型授权CN202123266338.62021-12-23CN216597593U2022-05-24朱袁正、叶鹏、周锦程、李宗清50一种超结构功率半导体器件实用新型授权CN202123266351.12021-12-23CN216698375U2022-06-07朱袁正、叶鹏、周锦程、杨卓